基于中心自主研发的室温键合工艺，成功将12英寸硅芯片晶圆/玻璃背面减薄到15微米，同时TTV保持在2微米，此技术为硅基厚膜SOI，MEMS传感器，低电压、大功率电源模块提供新的技术选择。